小王子介紹有關(guān) ALD 設(shè)備的其他信息

更新時(shí)間：2024-08-30

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1. ALD、CVD、PVD技術(shù)的區(qū)別

CVD是一種薄膜沉積技術(shù)，以“化學(xué)氣相沉積"的縮寫(xiě)命名，PVD是“物理氣相沉積"的縮寫(xiě)。

由于 ALD 使用氣體，因此也稱(chēng)為 CVD 的一種。然而，與 CVD 不同，CVD 中氣體分解產(chǎn)生的 SiO2 和 SiNx 等化合物會(huì)像灰塵一樣堆積，而 ALD 的不同之處在于它可以一次形成一層薄膜。

PVD是一種利用物理方法而不是氣體形成薄膜的技術(shù)。 PVD是在真空中對(duì)成膜材料進(jìn)行加熱、濺射、離子束照射或激光照射，使成膜材料蒸發(fā)、分散成顆粒，然后附著沉積在目標(biāo)物體上的方法。

當(dāng)使用 ALD 沉積薄膜時(shí)，可以在比使用 CVD 和 PVD 沉積薄膜時(shí)更窄、更深的結(jié)構(gòu)上沉積薄膜。特別是，ALD技術(shù)在尺寸為100納米或更小的孔隙上沉積薄膜時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)異的涂覆能力。由于ALD氣體可以深入滲透形成薄膜，因此即使在具有許多小孔的物體上也具有涂覆能力的技術(shù)。

2. ALD設(shè)備的全球市場(chǎng)

預(yù)計(jì)到 2028 年，全球 ALD 市場(chǎng)將達(dá)到 65 億美元。在目前的薄膜成型市場(chǎng)中，CVD占據(jù)了大部分。其中，ALD技術(shù)不僅在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中發(fā)揮著非常重要的作用，而且還具有較高的沉積性能和生產(chǎn)速度。因此，ALD技術(shù)被認(rèn)為是一個(gè)將持續(xù)增長(zhǎng)并不斷發(fā)展其自身重要性的市場(chǎng)。

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1. ALD、CVD、PVD技術(shù)的區(qū)別

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